곽노정 SK하이닉스 대표

지난해 SK하이닉스는 HBM(고대역폭 메모리) 기술 혁신을 통해 글로벌 AI 메모리 시장에서 선도적인 입지를 확고히 했다. 세계 최초로 12층 HBM3E의 양산을 시작한 데 이어, 16층 HBM3E 개발을 발표하며 차세대 AI 메모리 기술의 새로운 기준을 제시했다. AI와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장에서의 수요 증가에 대응하기 위한 전략적 행보다.

2024년 9월, SK하이닉스는 세계 최초로 12층 HBM3E 메모리의 양산을 시작했다. 기존 8층 HBM3 대비 50% 더 높은 용량(36GB)을 제공하며, 데이터 전송 속도는 9.6Gbps로 업계 최고 수준을 자랑한다. 이는 AI 모델 학습 및 추론 성능을 크게 향상시키는 데 기여한다.

• DRAM 칩 두께를 기존 대비 40% 줄여 동일한 두께에서 더 많은 층을 쌓아 데이터 처리 속도와 안정성을 동시에 확보했다. 엔비디아(NVIDIA)의 최신 GPU에 탑재돼 대규모 언어 모델(LLM)과 생성형 AI 시스템에서 핵심적인 역할을 수행한다.
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두달 뒤인 11월, 'SK AI 서밋 2024'에서 세계 최대 용량(48GB)의 16층 HBM3E 개발을 공식 발표했고 2025년 초 샘플 공급을 시작으로 상용화할 예정이다.

• 12층 제품보다 학습 성능은 최대 18%, 추론 성능은 최대 32% 향상된 것으로 평가된다. MR-MUF(Molded Underfill) 기술과 하이브리드 본딩(hybrid bonding)을 적용해 안정적인 대량 생산 기반을 마련해 엔비디아, AMD 등 글로벌 IT 기업들의 차세대 GPU와 AI 가속기 설계에 필수적인 부품으로 자리 잡을 것으로 기대된다.
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HBM 기술 혁신 외에도 다양한 AI 메모리 솔루션을 통해 시장 리더십을 강화하고 있다. HBM1부터 HBM3E까지 모든 세대의 제품을 세계 최초로 상용화한 유일한 기업으로, AI 메모리 시장에서 독보적인 위치를 차지하고 있다.

1. 또한 컴퓨팅과 저장 기능을 통합한 CXL(Compute Express Link) 메모리를 개발하며 데이터센터와 클라우드 환경에서의 효율성을 극대화하고 있다. 
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해결해야 할 과제는 많다. 삼성전자와 마이크론 등 경쟁사들도 HBM 기술 개발에 박차를 가하고 있어 시장 점유율 확보를 위한 경쟁이 치열해질 전망이다. 첨단 공정 기술 도입에 따른 생산 비용 증가 문제를 해결하기 위한 효율적인 비용 관리도 필요하다. 

AI 및 HPC 시장 성장세가 둔화될 경우, 고성능 메모리에 대한 수요 감소가 실적에 영향을 미칠 수 있다. 그럼에도 SK하이닉스가 지속적인 연구개발(R&D) 투자와 글로벌 파트너십 강화에 힘을 쏟는 이유는 미래 성장 가능성을 극대화하기 위해서다.